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DMP3008SFG
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T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 10 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
10,000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 11 Diode Forward Voltage vs. Current
f = 1MHz
T A = 150°C
C iss
1,000
T A = 125°C
1,000
C oss
C rss
100
10
T A = 85°C
T A = 25°C
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-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Typical Junction Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 13 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
0
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60
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 14 Gate-Charge Characteristics
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated
DMP3008SFG
Document number: DS35598 Rev. 5 - 2
5 of 7
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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